ICPCVD-Beschichtungsanlage
Universität Paderborn, PaderbornFrist abgelaufen
- Frist (abgelaufen)
- vor 627 Tagen abgelaufen
- Geschätzter Wert
- nicht angegeben
- Verfahren
- Offenes Verfahren, Lieferung
- Ort der Leistung
- 33098 · Paderborn · Nordrhein-Westfalen
- Veröffentlicht
- Für KMU geeignet
- keine Angabe des Auftraggebers
- Branche
- Labor und Messtechnik
- CPV
- 38970000 Technischer Simulator für Forschung, Prüfungen und Wissenschaft
Die Vergabeunterlagen liegen auf der Plattform des Auftraggebers.
Beschreibung
Ausgeschrieben wird eine Anlage zur chemischen Gasphasenabscheidung mittels induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-CVD). Die Anlage soll ein Kernstück der waferprozessierenden Infrastruktur darstellen und wird im Reinraum der Universität Paderborn aufgestellt. Die Entwicklung von waferskaligen Bauelementen stellt große Anforderungen an die Wafergröße (bis zu 8 Zoll), die Strukturgröße und die Strukturhomogenitäten. Die bei niedrigen Abscheidungsdrücken und -temperaturen (?20°C) mittels der Anlage abgeschiedenen Schichten sollen von hoher Qualität mit geringen Schäden und einer hohen nasschemischen Ätzbeständigkeit sein und eine hohe Konformität bzw. Stufenabdeckung aufweisen. Bei den abzuscheidenden Schichten soll es sich unter anderem um SiO2, Si3N4, SiOxNy, a-Si:H und SiC handeln.
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